45-нанометровая производственная технология Intel® на базе гафния
Кратко: постоянные инновации. Благодаря использованию кардинально
новых материалов, в том числе электронных схем на основе гафния,
45-нанометровая производственная технология Intel®, в которой
используются металлические затворы и диэлектрики Hi-k, помогает
значительно повысить производительность и энергосбережение процессоров
и приступить к созданию совершенно новых компьютеров.
Благодаря
революционной транзисторной технологии корпорации Intel процессоры
Intel на базе 45-нанометровой технологии с использованием гафния и
диэлектриков Hi-k получают исключительные преимущества. Эти
революционные новые процессоры создают более разнообразные возможности
для игр, мультимедиа и многозадачности на работе, дома и во время
отдыха.
Информацию любезно предоставил сайт: www.intel.com
